微硕参加2022亚洲充电展，数十款PD快充和无线充专用MOS，获多家知名品牌采用稿
微硕半导体参加2022亚洲充电展，展位号位于A01-02。
公司介绍
深圳市冠华伟业科技有限公司作为微硕大陆区的总代理商，其核心团队专注元器件15年，主营MOSFET、MCU、IGBT等器件，依托原厂全球总代理的优势，立足于中国市场，利用完善的优势服务为客户引进各类先进高科技电子元件，协助各厂家生产品质优良的产品并提供完善的服务
产品介绍
近年来，消费类电源市场增速迅猛，一方面是USB PD快充实现了大规模普及，大功率以及高电压输出对MOS器件的耐压、内阻等各方面性能提出了更高的要求。与此同时，无线充电市场持续增长，苹果的磁吸无线充、各大安卓阵营的大功率无线充，以及成百上千家第三方品牌的无线充产品，对线圈驱动MOS、电压转换MOS等的需求也更为强烈。
WINSOK微硕是一家专业功率半导体元件及类比IC的设计公司。通过对产品的持续创新，结合市场需求不断接受新挑战，持续精益深耕技术研发，致力提供卓越的设计和性能可靠的产品，以快速的响应与服务满足客户需求。
截至目前，微硕已针对USB PD快充的应用需求，推出了一系列MOS。微硕快充专用MOS产品主要有DNF3x3、DFN5x6以及SOP-8三种封装形式，分别有30V、40V、60V、100V等多种耐压规格，可用于USB PD快充同步整流电路以及接口VBUS开关等。
为了应对无线充电市场发展需求，WINSOK微硕优化了现有的产品线，推出了一系列低内阻、大电流、低功耗MOS管，包括30V、60V、100V、120V等多种耐压的产品，分别有DNF3x3、DFN5x6、SOT-23、SOP-8封装方式，可以应用于18-120W功率范围的多种磁吸无线充电方案中。
根据充电头网拆解报告得知，微硕半导体的MOS产品已经被广泛应用于无线充电器、UBS PD快充充电器中，进入了Anker、倍思、绿联、飞利浦、MOMAX等多家品牌供应链，产品性能获得客户的一致认可，下面为大家分享微硕MOS在无线充电市场以及USB PD快充市场的部分应用案例。
WINSOK微硕WSD30L40DN
微硕WSD30L40DN采用DFN3*3封装，P-MOS，耐压30V。
微硕WSD30L40DN规格资料。
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WINSOK微硕WSP4805
微硕WSP4805采用SOP-8封装，PMOS，耐压30V。
微硕WSP4805规格资料。
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WINSOK微硕WSP4884
是一颗高性能MOS管，在传统SO8封装中集成了两个MOS，采用先进的高密度技术，可提供同类产品中相对小的Ciss和RDSON。
微硕WSP4884规格资料。
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WINSOK微硕WSP4807
微硕WSP4807采用SOP-8封装，P-MOS，耐压30V。
微硕WSP4807详细规格资料。
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WINSOK微硕WSP4407
微硕WSP4407采用SOP-8封装，P-MOS管，耐压30V。
微硕WSP4407规格资料。
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WINSOK微硕WST2339
微硕WST2339采用SOT-23N封装，耐压20V。
微硕WST2339详细规格资料。
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WINSOK微硕WSP9926A
微硕WSP9926A双N MOS管，耐压20V，采用SOP-8封装。
微硕WSP9926A规格资料。
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WINSOK微硕WSP4953A
微硕WSP4953A双P MOS管，耐压20V，采用SOP-8封装。
微硕WSP4953A详细规格资料。
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WINSOK微硕WSD3810DN
微硕WSD3810DN高性能双NMOS，具有极高的功率密度，优秀的导阻和栅极电荷，适合于同步整流降压转换器，耐压30V，DFN3x3封装。
微硕WSD3810DN资料信息。
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WINSOK微硕WSP4984
微硕WSP4984双NMOS，耐压40V，导阻18mΩ，SOP-8封装。
微硕WSP4984规格资料。
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WINSOK微硕WSD3020DN
微硕WSD3020DN，高性能双NMOS，具有极低的Qg，耐压30V，导阻17mΩ，低导阻和低栅极电荷适合同步整流降压转换器应用，采用DFN3x3-8封装。
微硕WSD3020DN规格资料。
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充电头网总结
面对持续增长的消费类电源市场，微硕针对性的推出了数十款USB PD快充专用MOS以及无线充电专业用MOS，为电源厂商的产品开发提供了完整的MOS解决方案。
深圳市冠华伟业科技有限公司作为微硕大陆区的总代理商，其核心团队专注元器件15年，主营MOSFET、MCU、IGBT等器件，依托原厂全球总代理的优势，立足于中国市场，利用完善的优势服务为客户引进各类先进高科技电子元件，协助各厂家生产品质优良的产品并提供完善的服务。
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参展联系：info@chongdiantou.com
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