硅动力参加2022亚洲充电展，推出20款AC-DC快充芯片
硅动力参加2022亚洲充电展，展位号位于C50。
公司介绍
无锡硅动力微电子股份有限公司成立于2003年6月，2007年2月完成股份制改造，注册资金5500万元。公司坐落于无锡市国家级高新技术产业开发区，占地30亩，建筑面积5000平米，距离苏南硕放国际机场7公里，距离高铁车站2公里，交通便利，物流发达。为更好的服务广大客户，在深圳设立了分公司。
硅动力拥有一支具有国内外技术开发、经营管理经验的优秀人才队伍，是工信部认定的集成电路设计企业，省科技厅认定的江苏省高新技术企业，拥有省、市两级工程技术中心。公司聘请了中国工程院院士许居衍先生为公司首席科学家。
公司拥有先进的集成电路设计及测试平台，充分发挥数模混合及系统集成的技术优势，以市场为导向，开发拥有自主知识产权的优质电源管理集成电路产品，产品包含AC/DC、DC/DC、多节锂电池保护芯片、高精度模拟检测控制开关等绿色电源管理芯片，可广泛应用于智能手机快速充电器、5G通信适配器、智能电表、小家电、智能家居等领域。截至2021年12月，公司累计获得发明和实用新型专利111项、正在受理专利31项、集成电路布图设计权85项。
历年来硅动力曾获多项荣誉，荣获工信部“十年中国芯（2001-2010）---优秀设计企业奖”；先后5次荣获电子工程专辑“IC设计公司成就奖”；多次荣获“无锡市十大优秀设计企业奖”“无锡市十强IC设计企业”。
公司多款产品荣获行业奖项。如《应用于手机/MP3的FM接收芯片》、《高速红外数据传输芯片》、《LED开关调色温专用控制电路SP5432F》分别获得第1届、第4届、第11届“中国半导体创新产品和技术奖”；《内嵌USB的高保真多格式音频解码芯》获工信部第六届“中国芯”最佳潜质奖；硅动力旗下SP2738CF电源转换芯片获得2021年工信部第十六届“中国芯”芯火新锐产品奖。
公司产品坚持自主创新，同时与浙江大学、东南大学等国内著名高校进行产、学、研合作。在2013年起与浙江大学建立了硅动力电源管理芯片联合实验室，于2019年起与东南大学建立了宽禁带半导体材料和器件联合研发实验室。在高频、高功率密度开关电源控制技术和氮化镓新型功率器件领域开展技术合作，在人才培养、前沿芯片设计技术及专利技术的产业化方面进行深层次的合作。2016年12月，公司受邀成为浙江大学微电子学院理事会首批会员企业。
硅动力真诚欢迎从事微电子事业的人士加盟，倡导“拒绝平庸，创造精品”的经营理念，希望与国内外的企事业单位及各界友好人士携手发展、共创未来。
产品介绍
无锡硅动力微电子股份有限公司成立于2003年6月，拥有一支具有国内外技术开发、经营管理经验的优秀人才队伍，研发核心技术团队在数模混合电源管理芯片设计、功率器件结构设计和集成方面处于国内领先地位，公司积极引进海归技术人才，具备自主电源芯片系统架构开发能力。
硅动力充分发挥数模混合及系统集成的技术优势，以市场为导向，开发拥有自主知识产权的优质电源管理集成电路产品，产品包含AC-DC、DC-DC、BMS锂电保护等，可广泛应用于充电器、适配器、电动工具等领域。目前硅动力已经累计获得发明和实用新型专利111项、集成电路布图设计权85项、正在受理中的专利31项。
硅动力针对USB PD快充市场推出了20款AC-DC电源芯片，其中包括了14款原边PWM主控芯片和6款副边同步整流芯片，并由内置MOSFET和外推MOSFET的选择，可以满足18W-65W USB PD快充电源设计的选型需求。
简单介绍完硅动力的AC-DC电源芯片产品的布局，下面继续为大家带来硅动力AC-DC电源芯片在消费类电源市场的应用案例。
主控芯片
在主控PWM控制器产品领域，硅动力针对小功率的快充电源应用布局了内置MOSFET的高集成主控芯片，并且均采用SOP7、SOP8、DIP7等通用封装，可以实现精简的外围电路设计；同时针对大功率的快充电源应用，硅动力也推出了PWM控制芯片，开关频率最高可达125kHz，适用于40W、65W功率级的快充电源应用。以下是硅动力主控芯片部分应用案例：
硅动力SP6638HF
硅动力的高性能、低功耗开关电源控制芯片SP6638HF是国内首款内置MOSFET支持恒功率模式20W以内的快充芯片，采用行业领先的3D封装技术。配套同步整流芯片SP6518F：内置80V/10mΩ低压MOSFET，带自供电工作模式，完美支持PPS。
硅动力 SP6638HF详细资料信息。
应用案例：
1、拆解报告：Microkia 18W USB PD快充充电器
3、拆解报告：Lenovo联想20W 1A1C快充插座B1-1
硅动力SP6639HF
硅动力SP6639HF是一颗支持恒功率的电流模式PWM控制芯片，内置功率MOSFET，使用 SOP8无铅封装，用于功率在27W以内的方案。
硅动力SP6639HF详细规格资料。
应用案例：
硅动力SP6648HF
硅动力SP6648HF是一颗电流模式PWM控制芯片，其内置650V高压功率MOSFET，应用于功率20W以内的方案。SP6648HF在PWM模式下工作于固定开关频率，这个频率是由内部精确设定。在空载或者轻载时，工作频率由IC内部调整。芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率。
硅动力SP6648HF规格资料。
应用案例：
3、拆解报告：绿巨能18W USB PD双口充电器（1A1C）
4、拆解报告：MINISO名创优品18W PD快充充电器RWD018D
硅动力SP6649HF
硅动力SP6649HF是一颗电流模式PWM控制芯片，内置650V高压功率MOSFET，应用于功率在27W以内的方案，固定65KHz开关频率，同时内置完善的保护功能，采用SOP8封装便于散热。
硅动力SP6649HF资料信息。
应用案例：
3、拆解报告：STIGER斯泰克20W迷你PD快充充电器P39-1C-20W
8、拆解报告：ON 20W 1A1C双口快充延长线插座HOP1622A
硅动力SP6649DF
充电器主控芯片采用无锡硅动力SP6649DF。这是一颗电流模式PWM控制芯片，内置650V耐压的超级硅功率管，可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率；内置多种保护，通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的改善系统的EMI特性和开关的软启动控制；采用SOP8封装。
硅动力SP6649DF资料信息。
应用案例：
3、拆解报告：MOMAX摩米士迷你20W PD快充充电器UM25
硅动力SP6660
硅动力SP6660 是一颗高性能、多工作模式的 PWM 控制芯片。芯片可以工作在跳频及绿色模式，以此来减小空载和轻载时的损耗，也可以工作在 QR 工作模式及 CCM 工作模式，提高整机的工作效率。
硅动力SP6660 在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个很大的电阻，以此来进一步减小待机时的功耗。
硅动力SP6660 内置多种保护，包括交流输入电压过低保护、交流输入电压过高保护、输出电压过压保护、输出二极管短路保护、逐周期过流保护、过载保护、VDD 过压保护、VDD 欠压保护、过温保护等。
应用案例：
硅动力SP6681
无锡硅动力SP6681是一款高集成、高性能电流型PWM控制器，具有低功耗、宽电源电压的特点，适合应用在输出范围宽的PD充电器方案。该控制器同时也是一款兼容低成本、高性价比的离线反激式电路，该控制电路在整个负载范围内都有比较高的转换效率。
SP6681提供了完整的保护功能，包括逐周期过流、过载、外部过温、输出短路、过压和VDD过压保护。IC内部频率转换技术实现了优异的EMI效果，内部工作频率控制技术使得 23KHz 频率以下的能量最小化，来避免工作时产生噪声。采用SOT23-6 封装。
应用案例：
同步整流芯片
硅动力的同步整流系列芯片同样分为了内置MOSFET和外推MOSFET两种类型，其中外推MOSFET的同步整流控制器采用SOP23-5的小型化封装，节省空间；内置MOS的同步整流芯片中，MOSFET耐压值分为60V、80V、100V三种，可以满足不同场景的应用需求。以下是硅动力快充同步整流芯片的部分应用案例：
硅动力SP6510
硅动力SP6510是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制芯片。在低压大电流开关电源应用中， 轻松满足6级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。芯片可支持高达150kHz的开关频率应用，并且支持 CCM/QR/DCM等开关电源工作模式应用。
同步整流方案是采用极低的MOSFET导通压降产生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗，极大提高了系统转换效率，降低了整流器件的温度。高达1A的峰值电流驱动能力可确保快速开通和关断外部的大电流MOSFET器件，获得优异的转换效能，输出电压钳位功能使得高供电电压下栅极仍然安全可靠。
应用案例：
硅动力SP6516F
硅动力SP6516F次级同步整流芯片内置耐压60V的MOSFET，且具有极低的内阻，典型RdsON低至9.5mΩ，可提供系统高达3A的应用输出，工作电压范围宽，支持多种工作模式，应用方便。
硅动力SP6516F详细规格资料。
应用案例：
硅动力SP6516FD
硅动力SP6516FD是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流芯片。在低压大电流开关电源应用中，轻松满足6级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。
硅动力SP6516FD可支持高达150KHz的开关频率应用，并且支持CCM/QR/DCM等 开关电源工作模式应用，其极低导通压降产生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗，极大提高了系统的转换效率，大幅降低了整流器件的温度。
应用案例：
硅动力SP6518F
硅动力同步整流芯片SP6518F是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流芯片。在低压大电流开关电源应用中，轻松满足6级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。
芯片可支持高达150kHz的开关频率应用，并且支持CCM/QR/DCM等开关电源工作模式应用，其极低导通压降产生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗，极大提高了系统的转换效率，大幅降低了整流器件的温度。
应用案例：
2、拆解报告：Microkia 18W USB PD快充充电器
硅动力SP6518FB
硅动力同步整流芯片SP6518FB。这是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制电路，在低压大电流开关电源应用中，轻松满足6级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。
硅动力SP6518FB可支持高达150kHz的开关频率应用，并且支持CCM/QR/DCM等开关电源工作模式应用，其极低导通压降产生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗，极大提高了系统的转换效率，大幅降低了整流器件的温度。
此外，该芯片内置耐压75V的MOSFET同步整流开关，且具有极低的内阻，典型RdsON低至13mΩ，可提供系统高达3A的应用输出，工作电压范围宽，支持多种工作模式，应用方便。
应用案例：
1、拆解报告：RAVPOWER 18W 1A1C双口快充充电器
2、充电头网 拆解报告：STIGER斯泰克20W迷你PD快充充电器P39-1C-20W
硅动力SP6519F
硅动力SP6519F是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制电路。在低压大电流开关电源应用中，轻松满足6级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。
芯片可支持高达 150kHz的开关频率应用，并且支持CCM/QR/DCM等开关电源工作模式应用，其极低导通压降产生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗，极大提高了系统的转换效率，大幅降低了整流器件的温度。
芯片内置耐压100V的NMOSFET同步整流开关，且具有极低的内阻，典型RdsON低至10mΩ，可提供系统高达3A的应用输出，工作电压范围宽，支持多种工作模式，应用方便。
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硅动力SP6536F
硅动力SP6536F是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制电路，在低压大电流开关电源应用中，轻松满足6级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。
硅动力SP6536F内置耐压60V的NMOS同步整流开关，且具有极低的内阻；支持高达150kHz的开关频率应用；支持CCM/QR/DCM等开关电源工作模式应用，其极低导通压降产生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗，极大提高了系统的转换效率，大幅降低了整流器件的温度。
应用案例：
充电头网总结
AC-DC芯片是开关电源的核心部分，在当前的快充电源产品中，30W以内的小功率产品通常会选用内置MOSFET的设计AC-DC电源芯片，尤其是随着苹果iPhone手机支持PD快充以来，20W-30W功率的快充需求量大增。
根据充电头网统计了解到，硅动力已经针对30W以内的快充应用布局了多款高集成度AC-DC电源芯片，既有内置普通MOSFET的产品也有内置超级硅MOSFET的产品，另外在30W-65W也推出了多款高性能AC-DC芯片，可满足客户65W以内的基于MOSFET和GaN的快充电源设计。
在产品可靠性方面，硅动力的AC-DC电源芯片已经成功进入了安克、贝尔金、公牛、联想、傲基、泽宝、品胜、绿联、名创优品等品牌的快充电源供应链，出货量国内领先，性能获得品牌客户认可以及市场的长期验证。
如需了解更多芯片的产品资讯，可以与硅动力官方或代理联系。
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1、硅动力SP2738CF荣获2021年第十六届“中国芯”芯火新锐产品奖
A区（仅剩10席）
冠华伟业（A01-02）、矽力杰（A03）、芯朋（A04-06）、金晟欣（A07）、VSG（A08）、杰华特（A09）、钰泰（A10）、锐仕嘉（A11）、东科（A12-15）、力生美（A16）、坤兴（A17）、熙素微（A18)、威兆（A19)、宏曦睿（A20)、百隆电子（A25）、百斯科（A30）、艾思科技（A31）、酷科（A34）、强弦科技（A35）、胜宏（A36）、智融（A37）、宝砾微（A38）、意丰精密（A39)、聚能创芯（A40-43）、锐骏（A44)、瑞亨（A45）、古石（A46）、立讯精密（A47) 、斯泰克（A48）
B区（已抢空）
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C区（已抢空）
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参展联系：info@chongdiantou.com
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